Đề xuất "Phát triển quy trình công nghệ chế tạo transistor có độ linh động điện tử cao, ứng dụng cho các thiết bị điện tử công suất và tần số cao (HEMT)", của trường ĐH Bách Khoa Hà Nội sau nhiều nỗ lực đã nhận được tài trợ gần 100.000 USD cuả Dự án FIRST.