Vài ngày sau khi ra mắt bộ đôi Galaxy S7 và S7 Edge, Samsung đã giới thiệu bộ nhớ trong cho smartphone với dung lượng lên tới 256 GB.


Hôm qua (25/2) Samsung đã giới thiệu bộ nhớ trong cho smartphone với dung lượng 256 GB. Loại chip nhớ này được trang bị chuẩn kết nối UFS 2.0. Nhờ đó, nó có tốc độ truyền dữ liệu lên đến 850 MB/giây và đọc dữ liệu với tốc độ 260MB/giây. Tốc độ này nhanh gấp 3 lần thẻ microSD hiệu suất cao.


Bộ nhớ trong 256 GB mà Samsung vừa ra mắt được sản xuất trên công nghệ V-NAND do chính họ phát triển. Công nghệ này có thể xử lý 45.000 phép tính/giây (OIPS) ở chế độ đọc, còn chế độ ghi đạt mức 40.000 OIPS, cao hơn gấp đôi so với tốc độ 19.000 và 14.000 IOPS của bộ nhớ UFS thông thường.

Theo tiết lộ của hãng điện tử xứ sở kim chi, với bộ nhớ trong 256 GB mà họ vừa trình làng, người dùng chỉ mất 12 giây để copy một file video độ phân giải Full HD (1.080p) có độ dài 90 phút. Hiện tại, Samsung đang ấp ủ dự định đưa chuẩn USB 3.0 vào các smartphone tiếp theo của mình.

Theo dự đoán của các chuyên gia công nghệ, nhiều khả năng Samsung sẽ đưa bộ nhớ trong này vào dòng smartphone Galaxy Note 6 dự kiến được ra mắt vào tháng 9 tới. Nếu điều đó trở thành hiện thực, Galaxy Note 6 sẽ trở thành chiếc điện thoại thông minh có bộ nhớ trong “khủng” nhất thế giới.